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VBsemi Elec VB1101M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | VB1101M |
| EBEE-Teilenummer | E8416205 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 4.3A 0.1Ω@10V,4.3A 1.6W 1.2V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.2057 | $ 10.2850 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec VB1101M | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 141mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 190pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 22pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.9nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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