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VBsemi Elec TPC8108-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TPC8108-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8878965 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 11.6A 12.5mΩ@10V,11.6A 1 Piece P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.3091 | $ 3.0910 |
| 30+ | $0.2753 | $ 8.2590 |
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| 500+ | $0.2025 | $ 101.2500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec TPC8108-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 12.5mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 325pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.96nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 380pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V;[email protected] |
Einkaufsleitfaden
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