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VBsemi Elec TPC8103-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TPC8103-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8725227 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 11.6A 2.5W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.3653 | $ 3.6530 |
| 30+ | $0.3250 | $ 9.7500 |
| 100+ | $0.2755 | $ 27.5500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec TPC8103-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 11mΩ@10V;12mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 325pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 5.6W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.96nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 380pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V;[email protected] |
Einkaufsleitfaden
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