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VBsemi Elec TK7A65D-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TK7A65D-VB |
| EBEE-Teilenummer | E819632179 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 10A 830mΩ@10V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec TK7A65D-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 820mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 240pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 178W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 400pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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