15% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
VBsemi Elec TK4A60D-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TK4A60D-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822389104 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-220F MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>10 Auf Lager für schnelle Lieferung
10 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7639 | $ 0.7639 |
| 10+ | $0.6154 | $ 6.1540 |
| 50+ | $0.5398 | $ 26.9900 |
| 100+ | $0.4670 | $ 46.7000 |
| 500+ | $0.4225 | $ 211.2500 |
| 1000+ | $0.3995 | $ 399.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec TK4A60D-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.1Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 860pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
10 Stock for Shipping Fast
10 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7639 | $ 0.7639 |
| 10+ | $0.6154 | $ 6.1540 |
| 50+ | $0.5398 | $ 26.9900 |
| 100+ | $0.4670 | $ 46.7000 |
| 500+ | $0.4225 | $ 211.2500 |
| 1000+ | $0.3995 | $ 399.5000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
