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VBsemi Elec TK35A65W-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TK35A65W-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822357187 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 34A 80mΩ@10V 4.5V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8047 | $ 2.8047 |
| 10+ | $2.7383 | $ 27.3830 |
| 50+ | $2.6946 | $ 134.7300 |
| 100+ | $2.6493 | $ 264.9300 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec TK35A65W-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 80mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 42W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $2.6946 | $ 134.7300 |
| 100+ | $2.6493 | $ 264.9300 |
