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VBsemi Elec TK30E06N1-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TK30E06N1-VB |
| EBEE-Teilenummer | E87568839 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 11mΩ@10V 1.9V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec TK30E06N1-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 11mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 325pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 570pF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
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