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VBsemi Elec TK22A65X-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TK22A65X-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822357194 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 26A 115mΩ@10V 4.5V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.3136 | $ 3.3136 |
| 10+ | $2.8325 | $ 28.3250 |
| 50+ | $2.5467 | $ 127.3350 |
| 100+ | $2.2577 | $ 225.7700 |
| 500+ | $2.1244 | $ 1062.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec TK22A65X-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 115mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 26A | |
| Ciss-Input Capacitance | 80pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 4pF | |
| Gate Charge(Qg) | 84nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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