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VBsemi Elec TK15A20D-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TK15A20D-VB |
| EBEE-Teilenummer | E820755175 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 20A 58mΩ@10V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6020 | $ 1.6020 |
| 10+ | $1.3559 | $ 13.5590 |
| 50+ | $1.2019 | $ 60.0950 |
| 100+ | $1.0432 | $ 104.3200 |
| 500+ | $0.9717 | $ 485.8500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec TK15A20D-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 58mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 130pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 42W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 430pF | |
| Gate Charge(Qg) | 64nC@10V |
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