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VBsemi Elec SUM40014M-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SUM40014M-VB |
| EBEE-Teilenummer | E821264516 |
| Gehäuse | TO-263-7L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 200A 2mΩ@10V 1 N-channel TO-263-7L MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0818 | $ 1.0818 |
| 10+ | $1.0561 | $ 10.5610 |
| 50+ | $1.0380 | $ 51.9000 |
| 100+ | $1.0214 | $ 102.1400 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec SUM40014M-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.05nF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.77nF | |
| Gate Charge(Qg) | 300nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $1.0561 | $ 10.5610 |
| 50+ | $1.0380 | $ 51.9000 |
| 100+ | $1.0214 | $ 102.1400 |
