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VBsemi Elec STD8N65M5-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD8N65M5-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822357267 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 8A 560mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 30+ | $0.7860 | $ 23.5800 |
| 100+ | $0.6701 | $ 67.0100 |
| 500+ | $0.6192 | $ 309.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec STD8N65M5-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 560mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 51pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Gate Charge(Qg) | 205nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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