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VBsemi Elec STD80N6F6-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD80N6F6-VB |
| EBEE-Teilenummer | E87429123 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 120A 57W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 100+ | $0.6691 | $ 66.9100 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec STD80N6F6-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 200pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 57W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 97A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.844nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 441pF | |
| Gate Charge(Qg) | 82nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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