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VBsemi Elec STD7NS20-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD7NS20-VB |
| EBEE-Teilenummer | E841370534 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 200V 10A 3W 0.245Ω@10V,3A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0694 | $ 1.0694 |
| 200+ | $0.4278 | $ 85.5600 |
| 500+ | $0.4132 | $ 206.6000 |
| 1000+ | $0.4058 | $ 405.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec STD7NS20-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 200V | |
| Dauerdr. | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.245Ω@10V,3A | |
| Stromableitung (Pd) | 3W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 4V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 80pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.8nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 51nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.4058 | $ 405.8000 |
