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VBsemi Elec STD5407NT4G-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD5407NT4G-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822389492 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.3906 | $ 3.9060 |
| 30+ | $0.3446 | $ 10.3380 |
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| 500+ | $0.2620 | $ 131.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec STD5407NT4G-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 14mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 570pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.801nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 725pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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