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VBsemi Elec STD25P03LT4G-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD25P03LT4G-VB |
| EBEE-Teilenummer | E829779203 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 38A 0.033Ω@10V,38A 2.7W 1V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1963 | $ 0.1963 |
| 10+ | $0.1917 | $ 1.9170 |
| 30+ | $0.1886 | $ 5.6580 |
| 100+ | $0.1855 | $ 18.5500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec STD25P03LT4G-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 46mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 190pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.7W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 255pF | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.1886 | $ 5.6580 |
| 100+ | $0.1855 | $ 18.5500 |
