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VBsemi Elec STD25NF10LT4-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STD25NF10LT4-VB |
| EBEE-Teilenummer | E85382703 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 40A 3.75W 3V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.5506 | $ 5.5060 |
| 30+ | $0.4859 | $ 14.5770 |
| 100+ | $0.4225 | $ 42.2500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec STD25NF10LT4-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 30mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 107W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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