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VBsemi Elec STD12N06T4-VB


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STD12N06T4-VB
EBEE-Teilenummer
E8879190
Gehäuse
TO-252
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
60V 18.2A 73mΩ@10V,18.2A 2.1W 3V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
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TypBeschreibung
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KategorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
DatenblattVBsemi Elec STD12N06T4-VB
RoHS
TypN-Channel
RDS(on)85mΩ@4.5V
Betriebstemperatur --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)40pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation2.1W
Drain to Source Voltage60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)18A
Ciss-Input Capacitance660pF
Output Capacitance(Coss)85pF
Gate Charge(Qg)19.8nC@10V

Einkaufsleitfaden

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