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VBsemi Elec STB60NF06-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STB60NF06-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8710093 |
| Gehäuse | TO-263(D2PAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 75A 136W 3V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9913 | $ 0.9913 |
| 10+ | $0.8193 | $ 8.1930 |
| 50+ | $0.6277 | $ 31.3850 |
| 100+ | $0.5417 | $ 54.1700 |
| 500+ | $0.4904 | $ 245.2000 |
| 1000+ | $0.4647 | $ 464.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec STB60NF06-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 11mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 225pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 470pF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.6277 | $ 31.3850 |
| 100+ | $0.5417 | $ 54.1700 |
| 500+ | $0.4904 | $ 245.2000 |
| 1000+ | $0.4647 | $ 464.7000 |
