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VBsemi Elec SPP11N80C3-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SPP11N80C3-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822357303 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 800V 12A 370mΩ@10V 4.5V 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $2.2416 | $ 2.2416 |
| 10+ | $1.8975 | $ 18.9750 |
| 50+ | $1.6816 | $ 84.0800 |
| 100+ | $1.4602 | $ 146.0200 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec SPP11N80C3-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 370mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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