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VBsemi Elec SPD30P06PG-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SPD30P06PG-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8558281 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 35A 38.5W 1V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.5288 | $ 5.2880 |
| 30+ | $0.4684 | $ 14.0520 |
| 100+ | $0.4081 | $ 40.8100 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec SPD30P06PG-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 46mΩ@10V;58mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 90pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 38.5W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 26nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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