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VBsemi Elec SIS424DN-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SIS424DN-VB |
| EBEE-Teilenummer | E841370446 |
| Gehäuse | DFN-8-EP(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 19.8A 3.6W 0.0055Ω@4.5V,10A 1.5V@250uA 1 N-channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9908 | $ 0.9908 |
| 200+ | $0.3968 | $ 79.3600 |
| 500+ | $0.3821 | $ 191.0500 |
| 1000+ | $0.3766 | $ 376.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec SIS424DN-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 19.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.0055Ω@4.5V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 3.6W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 38pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.45nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.3766 | $ 376.6000 |
