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VBsemi Elec SI7913DN-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI7913DN-VB |
| EBEE-Teilenummer | E841370419 |
| Gehäuse | DFN-8-EP(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 6.4A 2.8W 0.038Ω@10V,6.4A 1V@250uA 2 P-Channel DFN-8-EP(3x3) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2375 | $ 1.2375 |
| 200+ | $0.4936 | $ 98.7200 |
| 500+ | $0.4771 | $ 238.5500 |
| 1000+ | $0.4699 | $ 469.9000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec SI7913DN-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 2 P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 6.4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.038Ω@10V,6.4A | |
| Stromableitung (Pd) | 2.8W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 200pF@10V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.2nF@10V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 21nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $0.4699 | $ 469.9000 |
