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VBsemi Elec SDP10N06-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SDP10N06-VB |
| EBEE-Teilenummer | E818795006 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 10A 1.1Ω@10V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec SDP10N06-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 840mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 63pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 106W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 230pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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