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VBsemi Elec RU20120L-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | RU20120L-VB |
| EBEE-Teilenummer | E841370181 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 35.8A 0.0025Ω@4.5V,38.8A 3.75W 1V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8226 | $ 0.8226 |
| 200+ | $0.3291 | $ 65.8200 |
| 500+ | $0.3181 | $ 159.0500 |
| 1000+ | $0.3127 | $ 312.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec RU20120L-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 35.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.0025Ω@4.5V,38.8A | |
| Stromableitung (Pd) | 3.75W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 620pF@10V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.3181 | $ 159.0500 |
| 1000+ | $0.3127 | $ 312.7000 |
