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VBsemi Elec PHD36N03LT-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PHD36N03LT-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822389939 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec PHD36N03LT-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 4.5mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 375pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 71W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.66nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 730pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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