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VBsemi Elec P6015CDG-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | P6015CDG-VB |
| EBEE-Teilenummer | E819632144 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 150V 25.4A 74mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3817 | $ 0.3817 |
| 10+ | $0.3727 | $ 3.7270 |
| 30+ | $0.3667 | $ 11.0010 |
| 100+ | $0.3606 | $ 36.0600 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec P6015CDG-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 77mΩ@8V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 37pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 5.9W | |
| Drain to Source Voltage | 150V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.735nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 160pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.3667 | $ 11.0010 |
| 100+ | $0.3606 | $ 36.0600 |
