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VBsemi Elec NCE2012-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NCE2012-VB |
| EBEE-Teilenummer | E841370180 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 20A 2.5W 0.0049Ω@4.5V,10A 2.1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6618 | $ 0.6618 |
| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec NCE2012-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 20A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.0049Ω@4.5V,10A | |
| Stromableitung (Pd) | 2.5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 2.1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 315pF@10V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3.7nF@10V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 27.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
