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VBsemi Elec MTP2N50E-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MTP2N50E-VB |
| EBEE-Teilenummer | E87568898 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 4.5A 60W 2.2Ω@10V 3.5V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.3307 | $ 16.5350 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec MTP2N50E-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.2Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.017nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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