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VBsemi Elec K8A55DA-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | K8A55DA-VB |
| EBEE-Teilenummer | E829778866 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 5.6A 1.1Ω@10V,4A 83W 2.5V@250uA TO-220F MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.6351 | $ 31.7550 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec K8A55DA-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.1Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 860pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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