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VBsemi Elec K2018-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | K2018-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8879091 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 18.2A 73mΩ@10V,18.2A 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.2700 | $ 2.7000 |
| 30+ | $0.2403 | $ 7.2090 |
| 100+ | $0.2025 | $ 20.2500 |
| 500+ | $0.1863 | $ 93.1500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec K2018-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 73mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 41.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 660pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 85pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19.8nC@10V |
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