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VBsemi Elec IRLU024PBF-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRLU024PBF-VB |
| EBEE-Teilenummer | E818212577 |
| Gehäuse | TO-251 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 25A 32mΩ@10V 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2294 | $ 0.2294 |
| 10+ | $0.2233 | $ 2.2330 |
| 30+ | $0.2203 | $ 6.6090 |
| 80+ | $0.2082 | $ 16.6560 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec IRLU024PBF-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 37mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 130pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 281pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.2203 | $ 6.6090 |
| 80+ | $0.2082 | $ 16.6560 |
