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VBsemi Elec IRFB9N60APBF-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRFB9N60APBF-VB |
| EBEE-Teilenummer | E819711254 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 12A 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.7526 | $ 37.6300 |
| 100+ | $0.6415 | $ 64.1500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec IRFB9N60APBF-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 580mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 210pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 420pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
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