15% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
VBsemi Elec IRF8010SPBF-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF8010SPBF-VB |
| EBEE-Teilenummer | E85878811 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 120A 3.75W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>25 Auf Lager für schnelle Lieferung
25 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9474 | $ 0.9474 |
| 10+ | $0.7899 | $ 7.8990 |
| 50+ | $0.7038 | $ 35.1900 |
| 100+ | $0.6055 | $ 60.5500 |
| 500+ | $0.5625 | $ 281.2500 |
| 1000+ | $0.5437 | $ 543.7000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec IRF8010SPBF-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 10mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 265pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 665pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
25 Stock for Shipping Fast
25 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9474 | $ 0.9474 |
| 10+ | $0.7899 | $ 7.8990 |
| 50+ | $0.7038 | $ 35.1900 |
| 100+ | $0.6055 | $ 60.5500 |
| 500+ | $0.5625 | $ 281.2500 |
| 1000+ | $0.5437 | $ 543.7000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
