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VBsemi Elec IRF650PBF-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF650PBF-VB |
| EBEE-Teilenummer | E820417667 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 200V 35A 58mΩ@10V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $1.4457 | $ 14.4570 |
| 50+ | $1.2899 | $ 64.4950 |
| 100+ | $1.1293 | $ 112.9300 |
| 500+ | $1.0570 | $ 528.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec IRF650PBF-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 58mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 110pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.69nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 200pF | |
| Gate Charge(Qg) | 140nC |
Einkaufsleitfaden
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