Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
VBsemi Elec IRF640STRLPBF-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF640STRLPBF-VB |
| EBEE-Teilenummer | E820417742 |
| Gehäuse | TO-263(D2PAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 200V 40A 48mΩ@10V 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>20 Auf Lager für schnelle Lieferung
20 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6020 | $ 1.6020 |
| 10+ | $1.3559 | $ 13.5590 |
| 30+ | $1.2019 | $ 36.0570 |
| 100+ | $1.0432 | $ 104.3200 |
| 500+ | $0.9717 | $ 485.8500 |
| 800+ | $0.9416 | $ 753.2800 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec IRF640STRLPBF-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 48mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.82nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
20 Stock for Shipping Fast
20 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6020 | $ 1.6020 |
| 10+ | $1.3559 | $ 13.5590 |
| 30+ | $1.2019 | $ 36.0570 |
| 100+ | $1.0432 | $ 104.3200 |
| 500+ | $0.9717 | $ 485.8500 |
| 800+ | $0.9416 | $ 753.2800 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
