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VBsemi Elec IRF5802TR-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF5802TR-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8725069 |
| Gehäuse | TSOP-6-1.5mm |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 3.2A 1.3W 2.5V@250uA 1 N-channel TSOP-6-1.5mm MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec IRF5802TR-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 95mΩ@10V;105mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 42pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 424pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4.2nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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