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VBsemi Elec IRF2804SPBF-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IRF2804SPBF-VB |
| EBEE-Teilenummer | E87525048 |
| Gehäuse | TO-263(D2PAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 229A 200W 1.2V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8993 | $ 0.8993 |
| 10+ | $0.8793 | $ 8.7930 |
| 50+ | $0.8486 | $ 42.4300 |
| 100+ | $0.8348 | $ 83.4800 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec IRF2804SPBF-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1mΩ@10V;1.3mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 850pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 280A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.335nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.8486 | $ 42.4300 |
| 100+ | $0.8348 | $ 83.4800 |
