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VBsemi Elec IPB60R080P7-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IPB60R080P7-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822357149 |
| Gehäuse | TO-263(D2PAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 34A 80mΩ@10V 4.5V 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $3.8962 | $ 38.9620 |
| 50+ | $3.5025 | $ 175.1250 |
| 100+ | $3.1056 | $ 310.5600 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec IPB60R080P7-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 80mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 175W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 86nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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