15% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
VBsemi Elec HY1908D-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HY1908D-VB |
| EBEE-Teilenummer | E819632121 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 80V 75A 5mΩ@10V 1 N-channel TO-252-2L MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>50 Auf Lager für schnelle Lieferung
50 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec HY1908D-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 8.7mΩ@5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.855nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@6V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
50 Stock for Shipping Fast
50 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
