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VBsemi Elec HAT2195WP-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HAT2195WP-VB |
| EBEE-Teilenummer | E829779662 |
| Gehäuse | DFN5x6-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 21A 35W 0.003Ω@10V,32A 2.5V@250uA DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec HAT2195WP-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 970pF | |
| Pd - Power Dissipation | 210W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.025nF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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