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VBsemi Elec HAT2016R-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HAT2016R-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8725055 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 6.8A 1.78W 1V@250uA 2 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1686 | $ 0.8430 |
| 50+ | $0.1647 | $ 8.2350 |
| 150+ | $0.1621 | $ 24.3150 |
| 500+ | $0.1594 | $ 79.7000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec HAT2016R-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 22mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.78W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 586pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 117pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 150+ | $0.1621 | $ 24.3150 |
| 500+ | $0.1594 | $ 79.7000 |
