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VBsemi Elec FDV303N-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDV303N-VB |
| EBEE-Teilenummer | E8725044 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 6A 1.3W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0826 | $ 0.4130 |
| 50+ | $0.0676 | $ 3.3800 |
| 150+ | $0.0601 | $ 9.0150 |
| 500+ | $0.0545 | $ 27.2500 |
| 3000+ | $0.0447 | $ 134.1000 |
| 6000+ | $0.0426 | $ 255.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec FDV303N-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | - | |
| Stromableitung (Pd) | 1.3W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 55pF@10V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 865pF@10V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0676 | $ 3.3800 |
| 150+ | $0.0601 | $ 9.0150 |
| 500+ | $0.0545 | $ 27.2500 |
| 3000+ | $0.0447 | $ 134.1000 |
| 6000+ | $0.0426 | $ 255.6000 |
