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VBsemi Elec FDP2532-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDP2532-VB |
| EBEE-Teilenummer | E85382710 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 150V 50A 3.75W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7259 | $ 0.7259 |
| 10+ | $0.7092 | $ 7.0920 |
| 30+ | $0.6990 | $ 20.9700 |
| 100+ | $0.6874 | $ 68.7400 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec FDP2532-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 30mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 190pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 165W | |
| Drain to Source Voltage | 150V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 290pF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.6990 | $ 20.9700 |
| 100+ | $0.6874 | $ 68.7400 |
