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VBsemi Elec FDMC7660DC-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDMC7660DC-VB |
| EBEE-Teilenummer | E819188186 |
| Gehäuse | QFN-8(3x3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 1 N-channel QFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $1.2651 | $ 12.6510 |
| 30+ | $1.1298 | $ 33.8940 |
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| 500+ | $0.8132 | $ 406.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec FDMC7660DC-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.5mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 79pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 70A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.05nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.04nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22.5nC@10V |
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