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VBsemi Elec FDG6322C-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDG6322C-VB |
| EBEE-Teilenummer | E87428961 |
| Gehäuse | SC-70-6 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 750mW 0.45V@100uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SC70-6 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec FDG6322C-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| RDS(on) | 90mΩ@4.5V;155mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.24W;1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.28A;2.8A | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];[email protected] |
Einkaufsleitfaden
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