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VBsemi Elec FDD6760A-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDD6760A-VB |
| EBEE-Teilenummer | E829778966 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 35.8A 3.75W 0.002Ω@10V,38.8A 1.5V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec FDD6760A-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 770pF | |
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.201nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.525nF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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