15% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
VBsemi Elec FDC8601-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDC8601-VB |
| EBEE-Teilenummer | E819711317 |
| Gehäuse | TSOP-6 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 1 N-channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>90 Auf Lager für schnelle Lieferung
90 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2209 | $ 1.1045 |
| 50+ | $0.1754 | $ 8.7700 |
| 150+ | $0.1558 | $ 23.3700 |
| 500+ | $0.1315 | $ 65.7500 |
| 3000+ | $0.1206 | $ 361.8000 |
| 6000+ | $0.1141 | $ 684.6000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec FDC8601-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 105mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 42pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 424pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
90 Stock for Shipping Fast
90 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2209 | $ 1.1045 |
| 50+ | $0.1754 | $ 8.7700 |
| 150+ | $0.1558 | $ 23.3700 |
| 500+ | $0.1315 | $ 65.7500 |
| 3000+ | $0.1206 | $ 361.8000 |
| 6000+ | $0.1141 | $ 684.6000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
