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VBsemi Elec FDC365P-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | FDC365P-VB |
| EBEE-Teilenummer | E85179519 |
| Gehäuse | TSOP-6 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 4.1A 2W 0.049Ω@10V,4.1A 2V@250uA 1 Piece P-Channel TSOP-6 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec FDC365P-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 49mΩ@10V;54mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 63pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 450pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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