| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ELM34603AA-N-VB |
| EBEE-Teilenummer | E841370213 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 6.8A 0.04Ω@10V,8A 2W 1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5776 | $ 0.5776 |
| 200+ | $0.2303 | $ 46.0600 |
| 500+ | $0.2231 | $ 111.5500 |
| 1000+ | $0.2194 | $ 219.4000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec ELM34603AA-N-VB | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 6.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 0.04Ω@10V,8A | |
| Stromableitung (Pd) | 2W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 33pF@20V;57pF@20V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 510pF@20V;620pF@20V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 5.8nC@10V;41.5nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5776 | $ 0.5776 |
| 200+ | $0.2303 | $ 46.0600 |
| 500+ | $0.2231 | $ 111.5500 |
| 1000+ | $0.2194 | $ 219.4000 |
