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VBsemi Elec DTM9906-VB
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DTM9906-VB |
| EBEE-Teilenummer | E822389410 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | SOP-8 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Datenblatt | VBsemi Elec DTM9906-VB | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel + P-Channel | |
| RDS(on) | 26mΩ@10V;55mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 60pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.4W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 665pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 95pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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